等离子体增强化学气相沉积系统
创建时间：2024-07-27 13:58
一、设备用途：
等离子体增强化学气相沉积技术是利用等离子体中的电子的动能去激发气相化学反应，因此使用该项技术，可在低的基体温度（一般低于600℃）进行沉积。应用该技术许多热CVD条件下进行十分缓慢或不能进行的反应能够得以进行，最典型的膜层是非晶态，可制备非晶硅、多晶硅、Si3N4、SiO2、TiC、TiN、WC、DLC、TiO2、SiC等。
二、设备参数：
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型号 |
SYCY-PECVD |
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结构形式 |
前开门 |
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真空室 |
Φ450mm×400mm,或多室 |
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真空系统配置 |
复合分子泵+机械泵 |
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极限压力 |
2.0×10-5Pa（经烘烤除气后） |
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恢复真空时间 |
45分钟可达到5.0×10-4Pa |
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上电极 （喷淋结构） |
喷淋装置：双层结构 喷淋装置尺寸：Φ100mm 进气均匀性：每一层进气口与距离优化处理 |
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下电极 （样品台） |
样片尺寸：可放置3英寸基片 样片加热最高温度：1000℃±1℃ 样片旋转：转速0～30转/分 样片与蒸发源间距：50-100mm可调 |
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射频电源 |
功率：500W |
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频率：13.56MHz |
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显示：数字式 |
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匹配方式：自动匹配 |
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功率稳定度：±0.1% |
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冷却方式：风冷 |
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气路系统 （气体流量控制） |
质量流量控制器数量：0-100 SCCM 4-6路 |
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质量流量控制器准确度:±1.5%F.S |
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质量流量控制器线性：±1%F.S |
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质量流量控制器重复精度：±0.2%F.S |
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流量显示仪 |
通道数量：4-6路显示 |
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量程范围：0-100 SCCM |
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水冷却循环系统 |
制冷量：2.85KW（1P） |
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烘烤照明系统 |
烘烤温度：室温-150℃ |
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烘烤方式：卤素灯 |
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压力控制方式 （选配） |
手动蝶阀+薄膜规（手动控制） |
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电动蝶阀+薄膜规（自动控制） |
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插板阀+复合真空计（手动或自动） |
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尾气处理系统 |
采用水浴处理方式 |
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整机控制方式 （控制方式为选配） |
手动控制 |
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半自动控制 |
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全自动化控制 |
